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單項(xiàng)選擇題

關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO₂界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長(zhǎng)速率

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多項(xiàng)選擇題

CMOSIC通常采取那種隔離方法（）

A.局部場(chǎng)氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離

多項(xiàng)選擇題

可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）

A.增長(zhǎng)光源波長(zhǎng)
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長(zhǎng)

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