某半導(dǎo)體價(jià)帶頂附近能量色散關(guān)系可表示為：E（k）=E_max-10^-30k²（J），現(xiàn)將其中一波矢為
的電子移走，試求此電子留下的空穴的有效質(zhì)量m^*_p，及速度v_p（k）.

已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度E_g≈1.12eV，價(jià)帶頂空穴和導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量之比m^*_p/m^*_n≈0.55，導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度N_C≈2.8*10¹⁹/cm³，k_T≈0.026eV。試計(jì)算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費(fèi)米能級(jí)E_i；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為10¹⁶/cm³的n型單晶硅的費(fèi)米能級(jí)E_F。