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單項選擇題

以下材料中，結晶過程中以非小平面方式生長的是（）

A.金屬鍺
B.透明環(huán)己烷
C.氧化硅

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單項選擇題

由于晶核產生于高畸變能區(qū)域，再結晶在（）部位不易形核。

A.大角度晶界和孿晶界
B.相界面
C.外表面

單項選擇題

開始發(fā)生再結晶的標志是（）

A.產生多變化
B.新的無畸變等軸小晶粒代替變形組織
C.晶粒尺寸顯著增大

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