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內(nèi)部過(guò)電壓的產(chǎn)生根源在系統(tǒng)內(nèi)部,通常都是因系統(tǒng)內(nèi)部電磁能量的聚集和轉(zhuǎn)換引起的。
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tanδ能反映絕緣的整體性缺陷和小電容試品中的嚴(yán)重局部性缺陷。
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