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單項(xiàng)選擇題

IGBT柵極極限電壓通常為±20V，正常使用電壓通常為±（）V，可驅(qū)動(dòng)電壓通常為5V左右。

A、10
B、12
C、15
D、18

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單項(xiàng)選擇題

要使可控硅導(dǎo)通，門極上所加的電壓波形不論是脈沖或是直流均可。采用脈沖觸發(fā)時(shí)，脈沖應(yīng)保持一定（），以保證元件的全部導(dǎo)通，且陽極電流上升到擎住電流以上。

A、頻率
B、寬度
C、有效值
D、電流

單項(xiàng)選擇題

鍺二極管的壓降比硅二極管的要小，理論上鍺二極管是0.3V，硅二極管是（）。

A、0.4V
B、0.5V
C、0.6V
D、0.7V

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