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對于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下()方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
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WCVD工藝第一步是()。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
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單項(xiàng)選擇題
Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是()。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
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