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【計算題】0.1kg的Ge單晶,摻有3.2*10
-9
kg的Sb,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試求該材料的電阻率μ
n
=0.38m
2
/(V.S),Ge的單晶密度為5.32g/cm
3
,Sb原子量為121.8。
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【計算題】摻有濃度為每立方米為10
22
硼原子的硅材料,請計算300K。
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【計算題】計算含有施主雜質(zhì)濃度為N
D
=9*10
15
cm
-3
,及受主雜質(zhì)濃度為1.1*10
16
cm
3
的硅在300K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。
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