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單項選擇題

一個以P-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中,()

A.其柵氧化層厚度越小,閾值電壓越大
B.其襯底摻雜濃度越高,閾值電壓越大
C.其閾值電壓必定是負的
D.其襯底費米勢肯定是負的

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