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填空題

由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（）。

答案：大；襯底；嚴重

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由于柵氧化層中通常帶（）電荷，所以（）型區(qū)比（）型區(qū)更容易發(fā)生反型。

答案：正；P；N

P溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

答案： N；P；空穴

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