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問答題

【簡答題】什么是LOCOS和STI（寫中英文全稱），為什么在高級IC中STI取代了LOCOS，列舉STI的工藝步驟。

答案： LOCOS：硅的局部氧化隔離 local oxidation of ...

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【簡答題】解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么？

答案：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎。 3:1

【簡答題】描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響。

答案：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙。

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