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問答題

【共用題干題】制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。設n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，300K時的EF位于導帶下面0.026eV處，計算銻的濃度和導帶中電子濃度。

答案：

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【計算題】試計算摻磷的硅、鍺在室溫下開始發(fā)生弱簡并時的雜質(zhì)濃度為多少？

答案：

【計算題】求室溫下?lián)戒R的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2時銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。

答案：