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【簡答題】離子注入摻雜的優(yōu)點(diǎn)是什么?寫出CMOS集成電路制備工藝中用到的離子注入。
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【簡答題】什么是含Cl氧化,含Cl氧化的好處是什么?
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填空題
單晶硅太陽能電池采用()表面來增加表面積,用沉積Si
3
N
4
作()膜來降低入射光的反射,用在擴(kuò)散層表面氧化生長()nm的鈍化層,改變表面層硅原子價(jià)鍵失配,減少表面復(fù)合,提高短路電流。用PECVD法沉積Si
3
N
4
時(shí),反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的()
答案:
絨化;減反膜;10~25;介面態(tài)
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