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單項選擇題

擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。

A.大，場助擴散
B.大，橫向擴散
C.小，橫向擴散
D.大，氧化增強

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制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO₂作為保護層。

答案：錯誤

單項選擇題

通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）

A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化