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單項選擇題

一般所說的電子崩，往往是指電子崩區(qū)域，電子崩頭的電荷密度遠遠大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩頭。

A.正電荷
B.分子流
C.負電荷
D.離子流

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單項選擇題

試驗表明，擊穿通道是局限在狹窄的（）形通道中，且有分支，說明放電過程與局部條件有關，有偶然因素。

A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐

單項選擇題

當外加（）很高，達到間隙的擊穿場強時，電子崩的發(fā)展形成流注，實現(xiàn)擊穿。

A.電壓
B.電場
C.磁場
D.能量