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GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
A.金剛石
B.閃鋅礦
C.體心
D.面心
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硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
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半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
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