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單項(xiàng)選擇題

理想的NMOS管的柵氧化層厚度越小，閾值電壓（）

A.越大
B.越小
C.不變
D.不一定

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單項(xiàng)選擇題

已知NMOS管的閾值電壓是1.5V，工作時漏源電壓為3V，柵源電壓為5.5，則該MOS管的狀態(tài)是（）

A.非飽和
B.截止
C.飽和
D.不能判斷

單項(xiàng)選擇題

增強(qiáng)型NMOS的閾值電壓（）0，且當(dāng)VGS（）VT時，MOS管才導(dǎo)通

A.大于，小于
B.大于，大于
C.小于，大于
D.小于，小于

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