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問答題

【計算題】硅突變pn結N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，設pn結擊穿時的最大電場為E_c=5×10⁵V/cm，計算pn結的擊穿電壓。

答案：

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【計算題】硅pn結的雜質濃度，計算pn結的反向擊穿電壓，如果要使其反向電壓提高到300V，n側的電阻率應為多少？

答案：

【計算題】根據(jù)理想的pn結電流電壓方程，計算反向電流等于反向飽和電流的70%時的反偏電壓值。

答案：

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