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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述記憶痕跡理論的主要觀(guān)點(diǎn)。

答案： ①短時(shí)記憶的反響回路
記憶痕跡理論認(rèn)為短時(shí)記憶是腦內(nèi)神經(jīng)元回路中，電活動(dòng)的自我興奮作用所造成的反響振蕩；這種反響...

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20世紀(jì)80年代以來(lái)，人們將智力分為（）和（）兩種。

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慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以?xún)?nèi)側(cè)前腦束后部的陽(yáng)性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。

答案：多巴胺能神經(jīng)；去甲腎上腺素能