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判斷題

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

答案：錯(cuò)誤

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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

答案：錯(cuò)誤

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

答案：正確