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填空題

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

答案：界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度

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氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

答案：比色法、橢圓偏振儀測試法、臺階測試、相干光波長差測量、擴(kuò)展電阻測試、掃描電鏡測量

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

答案：硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于