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填空題

在半導體材料中，載流子散射主要有兩方面的原因：（）和（）。

答案：電離雜質(zhì)散射;晶格振動散射

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下兩圖（a）與（b）中，（a）圖是（）型半導體的能帶結構圖，（b）圖是（）型半導體的能帶結構圖。

答案： n;p

電場周期破壞的來源是：（）、（）、（）、（）等。

答案：晶格熱振動;雜質(zhì)的引入;位錯;裂縫

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