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問答題
【計算題】
溫度為300K時本征硅的電子濃度1.5×1010cm-3，電子和空穴遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S。
1）計算硅的本征電導率。
2）硅的原子密度為5.00×1022/cm3。當摻入百萬分之一的As后，設雜質(zhì)全部電離，試計算其電導率。比本征硅的電導率增大了多少倍？
3）若該樣品所加的電場強度為1.34V/cm，試求流過該樣品的電流密度是多少？
答案：
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問答題
【簡答題】簡述光生伏特效應及應用。
答案：
當用適當波長的光照射非均勻半導體時，例如p-n結(jié)，由于內(nèi)建場的作用（不加外電場），半導體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢，稱為光生電壓；如...
問答題
【簡答題】簡述肖特基二極管不同于pn結(jié)二極管的特點。
答案：
肖特基二極管是多子器件，載流子無存貯效應，可做高頻器件，導通電壓約為0.3V。
而pn結(jié)二極管是少子器件，有電...
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