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單項選擇題

高真空蒸餾的目的是（）、縮短蒸餾周期。

A.提高熔點和沸點
B.提高溫度
C.降低溫度
D.降低熔點和沸點

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單項選擇題

下列哪項措施可以減少爬壁鈦（）

A.還原過程中延長停料時間
B.提高反應帶溫度布
C.盡量避免鎂揮發(fā)為鎂蒸汽
D.以上全對

單項選擇題

反應器內反應過程有一個溫度場，熔池表面反應區(qū)是高溫區(qū)，其中心最高溫度可達到（）以上

A.900℃
B.1000℃
C.1100℃
D.1200℃

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