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外延生長過程中雜質(zhì)的對流擴散效應(yīng),特別是高濃度一側(cè)向異側(cè)端的擴散,不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變,且只有在離界面稍遠(yuǎn)處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布,使外延層有效厚度變窄。
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判斷題
曝光波長的縮短可以使光刻分辨率線性提高,但同時會使焦深線性減小。如果增大投影物鏡的數(shù)值孔徑,那么在提高光刻分辨率的同時,投影物鏡的焦深也會急劇減小,因此在分辨率和焦深之間必須折衷。
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化學(xué)機械拋光(CMP)帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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