已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128，存取周期為1us。試分析：
（1）若采用集中式刷新方式，刷新時間間隔為1ms，則讀寫時間和刷新時間分為多少個周期？死區(qū)占多少時間？
（2）若采用分散式刷新方式，則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少？

設(shè)某處理器具有四段指令流水線：IF（取指令）、ID（指令譯碼及取操作數(shù)）、EXE（ALU執(zhí)行）和WB（結(jié)果寫回），每一個子過程的執(zhí)行時間為T，現(xiàn)處理器執(zhí)行如下指令序列：

（1）如果采用非流水線技術(shù)，處理器執(zhí)行這3條指令需要多長時間？
（2）能否采用流水線技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以提高執(zhí)行速度？若能，請分析可能存在的問題及解決方法。若不能，請說明理由。