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問答題
【簡答題】是說明什么是迪爾—格羅夫模型?試給出迪爾—格羅夫模型兩種極限情況的示意圖。并說明其物理意義。
答案:
Deal-Grove氧化模型(線性-拋物線模型 linear-parabolic model),是可...
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問答題
【簡答題】氧化硅的熱動(dòng)力學(xué)生長過程中包括哪幾個(gè)主要過程?并說明每一種過程中的什么因素對(duì)氧化生長速率有影響?其中決定因素是什么?
答案:
熱氧化過程中,氧化層的增厚包括三個(gè)過程:氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面:氧化劑穿過滯流層到...
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問答題
【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后,Si-SiO
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的界面與原來的硅表面的高度差為多少?為什么?
答案:
氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%,即意味著每生長1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗。
920A
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