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單項選擇題

N型硅襯底的MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)其柵極施加（）偏壓時，半導(dǎo)體表面附近會形成一層（）層。

A.正，電子積累
B.負(fù)，電子積累
C.正，空穴反型層
D.正，電子反型層

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單項選擇題

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中，其閾值電壓應(yīng)該是（）的，積累狀態(tài)時所加的柵電壓應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

單項選擇題

P-Sub的理想MOS結(jié)構(gòu)襯底的費米勢應(yīng)該是（）的；強反型時，其空間電荷區(qū)中的電荷應(yīng)該是（）的

A.正，正
B.正，負(fù)
C.負(fù)，正
D.負(fù)，負(fù)

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