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判斷題

LPCVD系統(tǒng)中淀積速率是受表面反應控制的，APCVD系統(tǒng)中淀積速率受質量輸運控制。

答案：正確

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實現對CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單，所以被廣泛采用。

答案：錯誤

CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側壁溫度與沉底溫度相等。

答案：錯誤

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