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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述什么是干法刻蝕與濕法刻蝕。
答案：
把硅片置于氣態(tài)產(chǎn)生的等離子體，等離子體中的帶正電離子物理轟擊硅片表面，等離子體中的反應(yīng)粒子與硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而去...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述刻蝕的概念、工藝目的、分類、應(yīng)用。
答案：
概念：用化學(xué)或物理的方法，有選擇地去除硅片表面層材料的過(guò)程稱為刻蝕。
工藝目的：把光刻膠圖形精確地轉(zhuǎn)移到硅片上...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述什么焦深（DOF）及其公式。
答案：
焦深是焦點(diǎn)上下的一個(gè)范圍，在這個(gè)范圍內(nèi)圖像連續(xù)保持清晰。焦深類似照相的景深，集成電路光刻中的景深很小，一般在1.0&mu...
