- 搜標題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【簡答題】簡述法刻蝕的優(yōu)缺點（與濕法刻蝕比）。
答案：
優(yōu)點：①刻蝕剖面各向異性，非常好的側(cè)壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻膠脫落或粘附問題；<...
②好的CD控制；
③最小的光刻膠脫落或粘附問題；<...
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】簡述什么是干法刻蝕與濕法刻蝕。
答案：
把硅片置于氣態(tài)產(chǎn)生的等離子體，等離子體中的帶正電離子物理轟擊硅片表面，等離子體中的反應(yīng)粒子與硅片表面發(fā)生化學反應(yīng)，從而去...
問答題
【簡答題】簡述刻蝕的概念、工藝目的、分類、應(yīng)用。
答案：
概念：用化學或物理的方法，有選擇地去除硅片表面層材料的過程稱為刻蝕。
工藝目的：把光刻膠圖形精確地轉(zhuǎn)移到硅片上...
工藝目的：把光刻膠圖形精確地轉(zhuǎn)移到硅片上...
