- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【簡答題】簡述什么是淺槽隔離STI及優(yōu)點。
答案：
淺槽隔離是在襯底上通過刻蝕槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步驟，制作晶體管有源區(qū)之間的隔離區(qū)的一種工藝。它取代了LOCOS...
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】簡述LOCOS隔離原理。
答案：
通過NMOS場區(qū)的硼注入及場區(qū)選擇氧化，增加場區(qū)的表面摻雜濃度及場區(qū)氧化層厚度，從而提高寄生NMOS管的閾值電壓，使該閾...
