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A.內部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B.缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開表面距離的增加而急劇減弱
D.用有限線圈磁化長的試件，不需進行分段磁化

A.磁化的磁場強度與材料的導磁率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形狀尺寸
C.缺陷內部的介質
D.A、B和C

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