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填空題

氫化非晶硅的禁帶寬度可調(diào)，含氫量增加，禁帶寬度（）；在非晶硅中摻入Ge元素，其禁帶寬度（）。

答案：增大；減小

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在單晶硅表面制作絨面時(shí)，常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和（），并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí)，可形成金字塔方椎形狀，腐蝕后方椎高度一般為3～6µm。

答案：堿性腐蝕劑

工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）

答案：直拉單晶法（CZ法或切克勞斯基法）

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