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單項(xiàng)選擇題

只讀存儲(chǔ)器向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要加入（）。

A.使能片選信號(hào)
B.高電壓
C.存儲(chǔ)電荷
D.選通地址

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單項(xiàng)選擇題

DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計(jì)數(shù)器的目的是（）。

A.周期為每列存儲(chǔ)單元刷新
B.周期為每行存儲(chǔ)單元刷新
C.周期進(jìn)行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)

單項(xiàng)選擇題

單管DRAM位線上的分布電容電荷大，降低了存儲(chǔ)高電平的電位，僅達(dá)到（），因此需要增加靈敏恢復(fù)/放大電路放大電壓，達(dá)到高電平的值。

A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V