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多項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散系數(shù)在何時(shí)不可以看成是常數(shù)（）

A.在本征硅上擴(kuò)散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重?fù)诫sp型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴(kuò)散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時(shí)進(jìn)行氧化

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單項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散摻雜，擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。

A.大，場(chǎng)助擴(kuò)散
B.大，橫向擴(kuò)散
C.小，橫向擴(kuò)散
D.大，氧化增強(qiáng)

制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO₂作為保護(hù)層。

答案：錯(cuò)誤

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