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填空題
為了降低注入離子對(duì)襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。
答案：
混合；全電掃描
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填空題
（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。
答案：
沿晶體溝道注入離子的射程遠(yuǎn)大于隨機(jī)方向注入離子射程的現(xiàn)象；硅片相對(duì)注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角；表面生長氧化層；硅注入表面...
