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填空題
（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。
答案：
沿晶體溝道注入離子的射程遠(yuǎn)大于隨機(jī)方向注入離子射程的現(xiàn)象；硅片相對(duì)注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角；表面生長(zhǎng)氧化層；硅注入表面...
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填空題
注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級(jí)近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />
答案：
離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標(biāo)準(zhǔn)偏差；高斯分布
填空題
CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。
答案：
針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N
