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填空題
CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。
答案：
針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N
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填空題
氧化層厚度的測(cè)量方法主要有：（）。
答案：
比色法、橢圓偏振儀測(cè)試法、臺(tái)階測(cè)試、相干光波長(zhǎng)差測(cè)量、擴(kuò)展電阻測(cè)試、掃描電鏡測(cè)量
