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單項選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

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單項選擇題

關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO₂界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率

多項選擇題

CMOSIC通常采取那種隔離方法（）

A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離

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