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單項(xiàng)選擇題
有A和B兩種單質(zhì)晶體,我們知道A的晶格常數(shù)是5Å,帶隙是1.2eV,B的晶格常數(shù)是4Å,其帶隙有可能是()eV
A.1.4
B.1.0
C.1.2
D.以上都不可能
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單項(xiàng)選擇題
GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
A.金剛石
B.閃鋅礦
C.體心
D.面心
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判斷題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
答案:
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