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問答題

【案例分析題】
以下兩圖屬于同類型存儲器單元。試回答以下問題：

它們兩個都是哪一種類型存儲器單元？分別是什么類型的？

答案：

同屬于現(xiàn)場可編程ROM（PROM），（a）為熔絲型PROM存儲單元；（b）為PN結(jié)擊穿PROM存儲單元。

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【簡答題】給出一管單元DRAM的原理圖，并給出版圖。

答案：

【計算題】對1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

答案：