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判斷題

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

答案：正確

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n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

答案：錯(cuò)誤

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

答案：錯(cuò)誤

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