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問答題

【計(jì)算題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量E_c（k）和價(jià)帶極大值附近能量E_v（k）分別為：

試求：
1）禁帶寬度；
2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；
3）價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量；
4）價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。

答案：

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【計(jì)算題】
溫度為300K時(shí)本征硅的電子濃度1.5×10¹⁰cm^-3，電子和空穴遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S。
1）計(jì)算硅的本征電導(dǎo)率。
2）硅的原子密度為5.00×10²²/cm³。當(dāng)摻入百萬分之一的As后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算其電導(dǎo)率。比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？
3）若該樣品所加的電場強(qiáng)度為1.34V/cm，試求流過該樣品的電流密度是多少？

答案：

【簡答題】簡述光生伏特效應(yīng)及應(yīng)用。

答案：當(dāng)用適當(dāng)波長的光照射非均勻半導(dǎo)體時(shí)，例如p-n結(jié)，由于內(nèi)建場的作用（不加外電場），半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢，稱為光生電壓；如...