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問答題

【計算題】假定GaAs導(dǎo)帶電子分布在導(dǎo)帶底之上0~3/2 kT范圍內(nèi)，價帶空穴分布在價帶頂之上0~3/2 kT范圍內(nèi)，計算輻射光子的波長范圍和頻帶寬度。

答案：

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【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=5×10¹⁵cm^-3，計算金屬鋁-硅肖特基接觸平衡態(tài)的反向電流J_sT、正偏電壓為5V時的電流。計算中取理查森常數(shù)A^*=264Acm^-2·K^-2。

答案：

【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=10¹⁶cm^-3，計算肖特基勢壘高度Φ_B0、半導(dǎo)體側(cè)的接觸電勢差V_bi、空間電荷區(qū)厚度W。

答案：

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