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判斷題

相同摻雜濃度下，多晶硅的電阻率比單晶硅的電阻率高得多。

答案：正確

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LPCVD系統(tǒng)中淀積速率是受表面反應(yīng)控制的，APCVD系統(tǒng)中淀積速率受質(zhì)量輸運(yùn)控制。

答案：正確

實(shí)現(xiàn)對(duì)CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴(kuò)散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡(jiǎn)單，所以被廣泛采用。

答案：錯(cuò)誤

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