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填空題

生產(chǎn)多晶硅帶的方法主要有定邊喂膜法、蹼狀枝晶法、繩帶法和模板生長法，其中產(chǎn)出率最高的方法為（）

答案：模板生長法

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氫化非晶硅的禁帶寬度可調(diào)，含氫量增加，禁帶寬度（）；在非晶硅中摻入Ge元素，其禁帶寬度（）。

答案：增大；減小

在單晶硅表面制作絨面時(shí)，常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和（），并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí)，可形成金字塔方椎形狀，腐蝕后方椎高度一般為3～6µm。

答案：堿性腐蝕劑

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