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A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO₂界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率

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